下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅

近年來，隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點(diǎn)關(guān)注的問題，以碳化硅為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢(shì)下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化。與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。具體優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：（1）能量損耗低。碳化硅模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗顯著低于同等IGBT模塊，且隨著開關(guān)頻率的提高，與IGBT模塊的損耗差越大，碳化硅模塊在降低損耗的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，有助于降低電池用量，提高續(xù)航里程，解決新能源汽車痛點(diǎn)；

（2）更 ……